锂电池保护IC 双功率场效应管 8205B

型号︰

8205B

品牌︰

UT

原产地︰

中国

单价︰

-

最少订量︰

-

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产品描述

8205A 

Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A) 

Description 

This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of advanced 

trench process. It has been optimized for power management applications with a 

wide range of gate drive voltage (2.5V-10V) 

Features 

 RDS(on)=38m@VGS=2.5V, ID=5.2A; RDS(on)=25m@VGS=4.5V, ID=6A 

 High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance 

 High Power and Current Handing Capability 

 Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 

 Ideal for Li ion Battery Pack Applications

Applications 

 Battery Protection 

 Load Switch 

 Power Management



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